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SiC MOSFET

원리적으로 스위칭 동작 시의 tail 전류가 없으므로 고속으로 동작하여 스위칭 손실의 저감이 가능합니다. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있으므로 저용량 · 낮은 Gate Charge를 실현합니다. Si 디바이스가 온도 상승에 따라 ON 저항이 2배 이상 상승하는 것에 비해 SiC는 ON 저항 증가가 적으므로 기기의 소형 · 저전력화에 기여합니다.


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