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저항기란?

What is a resistor?

서지에 의한 후막 칩 저항기의 파괴

서지에 의한 후막 칩 저항기의 파괴

서지란 회로에 순간적으로 가해지는 큰 전압 (전류)를 뜻합니다. 일반적으로 잘 알려진 것으로는 천둥이나 정전기 등이 있습니다.
저항기에 이와 같은 서지 전압 (전류)가 가해지면, 과잉된 전기적 스트레스로 인해 저항기의 특성에 영향을 주어, 최악의 경우에는 칩이 파괴되기도 합니다.

일러스트:서지 - 부하 집중으로 인해 저항체 재료가 파괴되어 저항치가 변화할 우려가 있음

어떻게 하면 서지에 강해지는가

서지 보호 특성을 향상시키는 방법의 일례로서,
하기와 같은 방법이 있습니다.

  • 서지에 강한 재료를 사용한다.
  • 전극간의 거리를 넓혀, 전위 구배를 완만하게 함으로써 칩에 대한 손상을 줄인다.

칩 사이즈를 크게 하면, 전극간 거리가 넓어져 서지에 강해지지만, 큰 사이즈의 칩을 사용함으로써 넓은 면적이 필요하게 됩니다.

그래프 - 서지 보호 제품이범용품보다전위 강하가 완만

기판 스페이스에 여유가 없지만, 소형화와 동시에 서지 내량도 확보하고 싶다

서지 보호 칩 저항기는, 소형 사이즈로 우수한 서지 보호 특성을 보증합니다.

정전기 파괴 시험 (EIAJ 준거) Human Body Model
타입 사이즈 서지 보호 보증치
ESR01 1005mm
(0402inch)
2kV
ESR03 1608mm
(0603inch)
3kV
ESR10 2012mm
(0805inch)
3kV
ESR18 3216mm
(1206inch)
3kV
ESR25 3225mm
(1210inch)
5kV
LTR10 2012mm
(0805inch)
3kV
LTR18 3216
(1206inch)
3kV
LTR50 5025mm
(2010inch)
3kV
LTR100 6432mm
(2512inch)
3kV

로옴의 서지 보호 칩 저항기는,

  1. 서지 보호 특성이 우수한 재료 채용
  2. 독자적인 저항체 소자 설계로 전위 구배를 완만하게 하여 칩에 대한 손상을 경감
일러스트:범용품과 서지 보호 제품의 차이에 대하여 서지 보호 제품은 전극간의 도통 경로가 길어, 전위 강하가 완만하므로 칩에 대한 손상이 적다.
그래프 - 서지 보호 특성의 비교 예 정전기 파괴 시험 (EIAJ 준거) Human Body Model로 평가 실시

로옴의 서지 보호 칩 저항기는 대전 특성 향상과 소자 형상의 재검토를 통해 범용 타입에 비해 높은 정격전력 보증을 실현하였습니다.

사이즈 ESR시리즈 MCR시리즈
1005 0.2W 0.063W
1608 0.25W 0.1W
2012 0.4W 0.125W
3216 0.33W 0.25W
3225 0.5W 0.25W
5025 - 0.5W

로옴의 ESR 시리즈, LTR 시리즈는 사이즈를 변경하지 않고도 서지 보호 특성 및 정격전력을 향상시킵니다.

라인업

품명 사이즈
약칭
정격전력
(70℃)
소자
최고
전압 (V)
저항치
허용차
저항 온도
계수
(ppm/℃)
저항치 범위 사용온도
범위(℃)
차재 대응
(AEC-
Q200)
SDR시리즈
NewSDR03 1608 1/4W
(0.25W)
150 J(±5%) ±200 1~10MΩ(E24시리즈) -55~
+155
Yes
F(±1%) ±200
±100
1~9.76Ω(E24,96시리즈)
10~10MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10~1MΩ(E24,96시리즈)
ESR시리즈
ESR01 1005 1/5W
(0.2W)
50 J(±5%) +500/-250
±200
1Ω~9.1Ω(E24시리즈)
10Ω~10MΩ(E24시리즈)
-55~
+155
Yes
F(±1%) ±100 10Ω~976kΩ(E24,96시리즈)
1MΩ~2.2MΩ(E24시리즈)
ESR03 1608 1/4W
(0.25W)
150 J(±5%) ±200 1Ω~10MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±200
±100
1Ω~9.76Ω(E24,96시리즈)
10Ω~10MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
ESR10 2012 2/5W
(0.4W)
150 J(±5%) ±200 1Ω~30MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~10MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
ESR18 3216 1/3W*1
(0.33W)
200 J(±5%) ±200 1Ω~15MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~10MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
ESR25 3225 1/2W*1
(0.5W)
200 J(±5%) ±200 1Ω~10MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~10MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
LTR시리즈
LTR10 2012 1/4W
(0.25W)
150 J(±5%) ±200 1Ω~1MΩ (E24시리즈) -55~
+155
Yes
F(±1%) ±100 1Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
LTR18 3216 3/4W
(0.75W)
200 J(±5%) ±200 1Ω~1MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
LTR50 5025 1W 200 J(±5%) ±200 1Ω~1MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~1MΩ (E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)
LTR100 6432 2W 200 J(±5%) ±200 1Ω~1MΩ(E24시리즈) Yes
F(±1%) ±100 1Ω~1MΩ (E24,96시리즈)
D(±0.5%) ±100 10Ω~1MΩ(E24,96시리즈)

※E24:표준품/ E96:주문 생산품

※고전력 대응에 대해서는 별도로 문의하여 주십시오.

건에 대한 문의

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