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4V Drive Pch+SBD MOSFET - US5U35

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
US5U35TR 공급중 TUMT5 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-353T
JEITA Package SC-113CA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
Number of terminal 5
Polarity Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] -45
Drain Current ID[A] -0.7
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 1.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.9
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 1.0
Total gate charge Qg[nC] 1.7
Power Dissipation (PD)[W] 0.7
Drive Voltage[V] -4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V] 40.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.1
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 1.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ2.0 × 2.1mm 의 실장 면적으로 하이파워, 스페이스 절약을 실현한 MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors