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4V Drive Nch+SBD MOSFET - US5U2

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
US5U2TR 공급중 TUMT5 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-353T
JEITA Package SC-113CA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
Number of terminal 5
Polarity Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.27
Total gate charge Qg[nC] 1.4
Power Dissipation (PD)[W] 0.7
Drive Voltage[V] 4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V] 20.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 2.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ2.0 × 2.1mm 의 실장 면적으로 하이파워, 스페이스 절약을 실현한 MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors