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Complex Transistor(BIP+Diode) - US5L12

초소형 패키지로 트랜지스터 2개 내장 타입 구비. 프리 앰프의 차동증폭회로, 고주파 수정 발진기, 드라이버 용도 등을 다양하게 구비하고 있습니다.

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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
US5L12TR 공급중 TUMT5 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-353T
JEITA Package SC-113CA
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.85Max.)
Number of terminal 5
Polarity NPN+Di
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 30.0
Collector current(continuous) IC1[A] 1.0
Collector Power dissipation PC[W] 0.4
hFE 270 to 680
hFE (Min.) 270
hFE (Max.) 680
hFE (Diode) 25
Reverse voltage VR (Diode) [V] 20.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.7
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 3.0
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) 2SB1689 / RB461F
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
특징 :
  • ᆞDC-DC 컨버터용 소형 파워 복합 바이폴라 트랜지스터
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors