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Complex Transistor(BIP+Diode) - UML23N

소형 패키지로 트랜지스터와 제너 다이오드 내장 타입 전개.전원전압 감시 디바이스의 간이적 실현이 가능.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
UML23NTR 공급중 UMT6 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-363
JEITA Package SC-88
Package Size[mm] 2.0x2.1(t=0.9)
Number of terminal 6
Polarity NPN+Di
Collector-Emitter voltage VCEO1[V] 50.0
Collector current(continuous) IC1[A] 0.15
Collector Power dissipation PC[W] 0.12
hFE 120 to 270
hFE (Min.) 120
hFE (Max.) 270
Mounting Style Surface mount
Equivalent (Single Part) 2SC2412K / VDZ6.8B
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ전원전압 감시 디바이스 용도에 최적인 트랜지스터와 제너 다이오드 복합
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors