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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3080AL (New)

650V 30A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT3080ALGC11 공급중 TO-247N 450 30 Tube Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 80
Drain Current[A] 30.0
Total Power Dissipation[W] 134
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • ・ Low on-resistance
    ・ Fast switching speed
    ・ Fast reverse recovery
    ・ Easy to parallel
    ・ Simple to drive
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
New Products:
 
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기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET