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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3017AL

SCT3017AL is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT3017ALGC11 공급중 TO-247N 450 30 Tube Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 17
Drain Current[A] 118.0
Total Power Dissipation[W] 427
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • ・ Low on-resistance
    ・ Fast switching speed
    ・ Fast reverse recovery
    ・ Easy to parallel
    ・ Simple to drive
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
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기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET