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N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT2H12NY

1700V 4A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT2H12NYTB 공급중 TO-268-2L 800 800 Taping Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 1150
Drain Current[A] 4.0
Total Power Dissipation[W] 44
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance with no center lead
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
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기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET