Downloading...

N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT2750NY

1700V 6A N-channel SiC (Silicon Carbide) power MOSFET.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT2750NYTB 공급중 TO-268-2L 800 800 Taping Yes
 
사양 :
Common Standard -
Drain-source Voltage[V] 1700
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 750
Drain Current[A] 6.0
Total Power Dissipation[W] 57
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Long creepage distance with no center lead
    • Simple to drive
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
 
 
관련 상품
관련 신제품 / 갱신 제품SiC 파워 디바이스
형명 제품 이름 패키지 Datasheet 유통 재고
SCT3080AL N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-247N   구입
SCT2H12NY N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-268-2L   구입
SCT3017AL N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-247N   문의
SCT3022AL N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-247N   구입
SCT3022KL N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-247N   구입
SCT3030KL N-channel Silicon Carbide Power MOSFET TO-247N   구입
New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

For SiC Power Devices and Modules

SiC (Silicon Carbide) is a compound semiconductor comprised of silicon (Si) and carbon (C). Compared to Si...

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET