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SiC MOSFET - SCT2120AF

SCT2120AF는 650V 29A Nch SiC 파워 MOSFET입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

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형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCT2120AFC 공급중 TO-220AB 1000 50 Tube Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ] 120
Drain Current[A] 29.0
Total Power Dissipation[W] 165
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • ・ Low on-resistance
    ・ Fast switching speed
    ・ Fast reverse recovery
    ・ Easy to parallel
    ・ Simple to drive
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
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기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET