Downloading...

Silicon carbide Schottky Barrier Diode - SCS308AP (New)

Switching loss reduced, enabling high-speed switching . (3-pin package)

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCS308APC9 공급중 TO-220ACP 1000 50 Tube Yes
 
사양 :
Grade Standard
Reverse Voltage[V] 650
Continuous Forward Current[A] 8
Total Power Dissipation[W] 57
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Shorter recovery time
    • Reduced temperature dependence
    • High-speed switching possible
    • High surge current capability
 
 
New Products:
 
로옴은 언제든지 사양을 변경할 수 있습니다.
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC Schottky Barrier Diodes