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SiC 쇼트키 배리어 다이오드 - SCS210AG

스위칭 손실을 저감하여, 고속 스위칭이 가능합니다. (2pin 패키지)

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
SCS210AGC 공급중 TO-220AC2L 1000 50 Tube Yes
 
사양 :
Grade Standard
Reverse Voltage[V] 650
Continuous Forward Current[A] 10
Total Power Dissipation[W] 78
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • ・짧은 리커버리 시간
    ・고속 스위칭 가능
    ・특성의 온도 의존성이 적음
 
 
New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC Schottky Barrier Diodes