SiC 쇼트키 배리어 다이오드 Bare Die - S6306

S6306은 SiC epitaxial planar 타입 쇼트키 배리어 다이오드로, 짧은 리커버리 시간 · 고속 스위칭이 특징입니다.
Bare Die 사양 및 판매에 대해서는 당사 영업으로 별도 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 판매는 실시하고 있지 않습니다.

Data Sheet

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

형명	상태	패키지	포장 수량	최소 포장 단위	포장 사양	RoHS
S6306	공급중					Yes

사양 :

Reverse Voltage[V]	1200
Continuous Forward Current[A]	15
Junction Temperature(Max.)[°C]	175
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	175

특징 :

· Shorter recovery time
· Reduced temperature dependence
· High-speed switching possible

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기술 정보

Spice Model

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC SBD Bare Die