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SiC 쇼트키 배리어 다이오드 Bare Die - S6302

S6302는 SiC epitaxial planar 타입 쇼트키 배리어 다이오드로, 짧은 리커버리 시간 · 고속 스위칭이 특징입니다.
Bare Die 사양 및 판매에 대해서는 당사 영업으로 별도 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 판매는 실시하고 있지 않습니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

FAQ 
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
S6302 공급중 Yes
 
사양 :
Reverse Voltage[V] 1200
Continuous Forward Current[A] 10
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • · Shorter recovery time
    · Reduced temperature dependence
    · High-speed switching possible
 
 
 
 
기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC SBD Bare Die