N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4108 (New)

S4108 is an SiC (Silicon Carbide) power MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
For sale of Bare Die, please contact the specifications in our sales office. Currently, we don't sell Bare Die on the internet distributors now.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
구성 물질 일람표
S4108 공급중 inquiry Yes
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO] 80
Drain Current[A] 31.0
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Fast reverse recovery
    • Easy to parallel
    • Simple to drive
최근 클릭
관련 신제품 / 갱신 제품SiC 파워 디바이스
New Products:
로옴은 언제든지 사양을 변경할 수 있습니다.
기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET Bare Die