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N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4008

S4008 is an SiC (Silicon Carbide) power MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
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형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
S4008 공급중 Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO] 60
Drain Current[A] 39.0
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low on-resistance
    • Fast switching speed
    • Fast reverse recovery
    • Easy to parallel
    • Simple to drive
 
 
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기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET Bare Die