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Nch SiC 파워 MOSFET Bare die - S2305

S2305는 SiC planar 타입 MOSFET로, 고내압 · 저 ON 저항 · 고속 스위칭이 특징입니다.
Bare Die 사양 및 판매에 대해서는 당사 영업으로 별도 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 판매는 실시하고 있지 않습니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

FAQ 
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
S2305 공급중 Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO] 450
Drain Current[A] 10.0
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • · Low ON resistance
    · Fast switching speed
    · Fast revese recovery
    · Easy to parallel
    · Simple to drive
 
 
New Products:
 
 
기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET Bare Die