Downloading...

Nch SiC 파워 MOSFET Bare die - S2305

S2305는 SiC planar 타입 MOSFET로, 고내압 · 저 ON 저항 · 고속 스위칭이 특징입니다.
Bare Die 사양 및 판매에 대해서는 당사 영업으로 별도 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 판매는 실시하고 있지 않습니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

FAQ 
* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
S2305 공급중 Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO] 450
Drain Current[A] 10.0
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • · Low ON resistance
    · Fast switching speed
    · Fast revese recovery
    · Easy to parallel
    · Simple to drive
 
 
기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog

Part Explanation

For SiC MOSFET Bare Die