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1.2V Drive Nch MOSFET - RUC002N05

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

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형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RUC002N05T116 공급중 SOT-23 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-23
Package Size[mm] 2.9x2.4(t=0.95)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 50
Drain Current ID[A] 0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.) 2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 2.4
Power Dissipation (PD)[W] 0.2
Drive Voltage[V] 1.2
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ1.2V 구동 타입 Nch 소신호MOSFET
 
 
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors