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4V Drive Nch MOSFET - RSJ650N10

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RSJ650N10TL 공급중 LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 100
Drain Current ID[A] 65.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.0070
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0070
Total gate charge Qg[nC] 260.0
Power Dissipation (PD)[W] 100.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ4V 구동 타입 Nch 파워 MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Part Explanation

For Transistors