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4V Drive Nch MOSFET - RSJ550N10전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.
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| * 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다. | ||||
사양 :
| Grade | Standard |
| Package Code | TO-263(D2PAK) |
| JEITA Package | SC-83 |
| Package Size[mm] | 10.1x13.1(t=4.5) |
| Number of terminal | 3 |
| Polarity | Nch |
| Drain-Source Voltage VDSS[V] | 100 |
| Drain Current ID[A] | 55.0 |
| RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) | 0.0135 |
| RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.012 |
| RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0135 |
| Total gate charge Qg[nC] | 143.0 |
| Power Dissipation (PD)[W] | 100.0 |
| Drive Voltage[V] | 4.0 |
| Mounting Style | Surface mount |
| Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
| Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
어플리케이션 :
단자 배치도 :
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기술 정보
NE Handbook Series
For Power Device
Taping Specifications
For Transistors
Condition Of Soldering
For Surface Mount Type
Storage Conditions
For Transistors
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors