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4V Drive Nch MOSFET - RSJ550N10

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RSJ550N10TL 공급중 LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 100
Drain Current ID[A] 55.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0135
Total gate charge Qg[nC] 143.0
Power Dissipation (PD)[W] 100.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ4V 구동 타입 Nch 파워 MOSFET
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors