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4V Drive Nch MOSFET - RSJ550N10전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.
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* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다. |
사양 :
Grade | Standard |
Package Code | TO-263(D2PAK) |
JEITA Package | SC-83 |
Package Size[mm] | 10.1x13.1(t=4.5) |
Number of terminal | 3 |
Polarity | Nch |
Drain-Source Voltage VDSS[V] | 100 |
Drain Current ID[A] | 55.0 |
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) | 0.0135 |
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.012 |
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0135 |
Total gate charge Qg[nC] | 143.0 |
Power Dissipation (PD)[W] | 100.0 |
Drive Voltage[V] | 4.0 |
Mounting Style | Surface mount |
Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
어플리케이션 :
단자 배치도 :
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형명 | 제품 이름 | 패키지 | Datasheet | 유통 재고 |
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RQ1E075XN | 4V Drive Nch MOSFET | TSMT8 | 문의 | |
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New Products:
기술 정보
NE Handbook Series
For Power Device
Condition Of Soldering
For Surface Mount Type
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors