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4V Drive Pch MOSFET - RSJ250P10

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 신 프로세스를 채용한 "스위칭 전원용 고효율 고내압 디바이스" 로 저소비전력을 실현한 파워 MOSFET 를 제공하며, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RSJ250P10TL 공급중 LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V] -100
Drain Current ID[A] -25.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.05
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.045
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.05
Total gate charge Qg[nC] 60.0
Power Dissipation (PD)[W] 50.0
Drive Voltage[V] -4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ4V 구동 타입 Pch 파워 MOSFET
 
 
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형명 제품 이름 패키지 Datasheet 유통 재고
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New Products:
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors