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4V Drive Nch MOSFET - RSD200N05

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 "모바일용 초저 ON 저항 디바이스" 로 저소비전력의 파워 MOSFET 를 제공합니다. 또 용도에 따라 소형ᆞ하이파워ᆞ복합화가 가능한 풍부한 라인업으로 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RSD200N05TL 공급중 CPT3 2500 2500 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-252(DPAK)
JEITA Package SC-63
Package Size[mm] 6.5x9.5(t=2.3)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 45
Drain Current ID[A] 20.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.028
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.025
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.02
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.028
Total gate charge Qg[nC] 12.0
Power Dissipation (PD)[W] 20.0
Drive Voltage[V] 4.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ4V 구동 타입 Nch 파워 MOSFET
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors