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Nch 30V 20A 미들파워 MOSFET - RS1E200BN

RS1E200BN은 소형 하이파워 패키지를 채용한 미들파워 MOSFET로, 스위칭 용도에 적합합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RS1E200BNTB 공급중 HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 80.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0038
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0038
Total gate charge Qg[nC] 29.0
Power Dissipation (PD)[W] 25.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ・ Low on - resistance.
    ・ High Power small mold Package (HSOP8).
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
    ・ Halogen Free
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors