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4.5V 구동 타입 Nch MOSFET - RS1E170GN

전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RS1E170GNTB 공급중 HSOP8(Single) 2500 2500 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code HSOP8S(5x6)
Package Size[mm] 5.0x6.0(t=1.0)
Applications Power Supply
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 40.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0067
Total gate charge Qg[nC] 5.9
Power Dissipation (PD)[W] 23.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
    • Low on - resistance
    • High Power Package (HSOP8)
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant
    • Halogen Free
    • 100% Rg and UIS Tested
 
 
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기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors