Nch 30V 39A Middle Power MOSFET - RQ3E180BN

RQ3E180BN is low on-resistance and high power package MOSFET for switching application.

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포장 사양
RQ3E180BNTB 공급중 HSMT8 3000 3000 Taping Yes
사양 :
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Applications Switching, Motor
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 39.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0037
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0037
Total gate charge Qg[nC] 37.0
Power Dissipation (PD)[W] 20.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
    • Halogen Free.
단자 배치도 :
Pin Configration
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기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Storage Conditions

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Part Explanation

For Transistors