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Nch 30V 12A 미들파워 MOSFET - RQ3E120BN

하이파워 패키지 (HSMT8)의 RQ3E120BN은 저 ON 저항으로 스위칭 용도에 최적입니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RQ3E120BNTB 공급중 HSMT8 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 12.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.0086
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.0066
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.0086
Total gate charge Qg[nC] 14.0
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors