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4.5V 구동 타입 Nch MOSFET - RQ3E100GN전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.
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| * 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다. | ||||
사양 :
| Grade | Standard |
| Package Code | HSMT8(3.3x3.3) |
| Package Size[mm] | 3.3x3.3(t=0.8) |
| Applications | Power Supply |
| Number of terminal | 8 |
| Polarity | Nch |
| Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 |
| Drain Current ID[A] | 21.0 |
| RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.012 |
| RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0089 |
| RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.012 |
| Total gate charge Qg[nC] | 3.9 |
| Power Dissipation (PD)[W] | 15.0 |
| Drive Voltage[V] | 4.5 |
| Mounting Style | Surface mount |
| Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
| Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
특징 :
- ・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free
어플리케이션 :
단자 배치도 :
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기술 정보
NE Handbook Series
For Power Device
Taping Specifications
For Transistors
Condition Of Soldering
For Surface Mount Type
Storage Conditions
For Transistors
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors