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4.5V 구동 타입 Nch MOSFET - RQ3E100GN전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.
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| * 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다. | ||||
사양 :
| Grade | Standard |
| Package Code | HSMT8(3.3x3.3) |
| Package Size[mm] | 3.3x3.3(t=0.8) |
| Applications | Power Supply |
| Number of terminal | 8 |
| Polarity | Nch |
| Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 |
| Drain Current ID[A] | 21.0 |
| RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.012 |
| RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0089 |
| RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.012 |
| Total gate charge Qg[nC] | 3.9 |
| Power Dissipation (PD)[W] | 15.0 |
| Drive Voltage[V] | 4.5 |
| Mounting Style | Surface mount |
| Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
| Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
특징 :
- ・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free
어플리케이션 :
단자 배치도 :
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| 형명 | 제품 이름 | 패키지 | Datasheet | 유통 재고 |
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New Products:
기술 정보
NE Handbook Series
For Power Device
Condition Of Soldering
For Surface Mount Type
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors