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Nch 30V 8A 미들파워 MOSFET - RQ3E080BN

RQ3E080BN은 하이파워 패키지 HSMT8을 채용한 미들파워 MOSFET입니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RQ3E080BNTB 공급중 HSMT8 3000 3000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code HSMT8(3.3x3.3)
Package Size[mm] 3.3x3.3(t=0.8)
Number of terminal 8
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 30
Drain Current ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.016
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.011
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.016
Total gate charge Qg[nC] 7.2
Power Dissipation (PD)[W] 2.0
Drive Voltage[V] 4.5
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
    • Low on - resistance.
    • High Power Package (HSMT8).
    • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
    • Halogen Free
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors