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660nm Low Power Lasers - RLD65PZX3

로옴의 660nm 저출력 레이저는 풍부한 시장 실적으로 고신뢰성 실현. 출력 라인업도 충실하여, 다양한 요구에 대응합니다.

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형명
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최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RLD65PZX3 공급중 φ5.6mm 500 500 Tray Yes
 
사양 :
Application Sensor, Barcode Scanner
Wave-length λ(Min.)[nm] 650
Wave-length λ(Typ.)[nm] 657
Wave-length λ(Max.)[nm] 664
Optical Output Po(Max.)[mW] 12
LD Reverse Voltage(Max.)[V] 2
PinPD Reverse Voltage(Max.)[V] 20
Optical Output Condition Po(Typ.)[mW] 10
Threshold Current Ith(Typ.)[mA] 25
Threshold Current Ith(Max.)[mA] 35
Operating Current Iop(Min.)[mA] -
Operating Current Iop(Typ.)[mA] 42
Operating Current Iop(Max.)[mA] 55
Operating Voltage Vop(Min.)[V] -
Operating Voltage Vop(Typ.)[V] 2.3
Operating Voltage Vop(Max.)[V] 2.7
Output Efficiency η(Min.)[W/A] 0.4
Output Efficiency η(Typ.)[W/A] 0.6
Output Efficiency η(Max.)[W/A] 1
Monitor Current Im(Min.)[mA] 0.08
Monitor Current Im(Typ.)[mA] 0.2
Monitor Current Im(Max.)[mA] 0.5
Beam Divergence θ//(Min.)[deg] 6
Beam Divergence θ//(Typ.)[deg] 8.5
Beam Divergence θ//(Max.)[deg] 12
Beam Divergence θ⊥(Min.)[deg] 24
Beam Divergence θ⊥(Typ.)[deg] 28
Beam Divergence θ⊥(Max.)[deg] 34
Beam Tolerance ⊿θ//(Min.)[deg] -2
Beam Tolerance ⊿θ//(Typ.)[deg] 0
Beam Tolerance ⊿θ//(Max.)[deg] 2
Beam Tolerance ⊿θ⊥(Min.)[deg] -3
Beam Tolerance ⊿θ⊥(Typ.)[deg] 0
Beam Tolerance ⊿θ⊥(Max.)[deg] 3
Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Min.)[µm] -100
Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Typ.)[µm] 0
Emission Point Accuracy ⊿XYZ(Max.)[µm] 100
Emission Point Distance(Typ.)[µm] 0
Polarity P(LD Cathode / PD Anode)
Operating Temperature (Min.)[°C] -10
Operating Temperature (Max.)[°C] 70
특징 :
  • ᆞ660nm 저출력
    ᆞ업계 표준Φ5.6 금속 스템 채용
    ᆞHigher ESD
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
 
 
기술 정보
Operation Notes

For Laser Diodes

Product Features

For Laser Diodes

Fundamental Characteristics

For Laser Diodes

Symbols and Definitions

For Laser Diodes