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650V 25A Field Stop Trench IGBT - RGT50NS65D(TO-262) (New)

로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RGT50NS65DGC9 공급중 TO-262 1000 1000 Tube Yes
 
사양 :
VCES [V] 650
IC(100°C)[A] 25
VCE(sat) (Typ.) [V] 1.65
tsc(Min.) [us] 5
Built-in Diode FRD
Pd [W] 194
VGE(th) (Min.)[V] 5.0
BVCES (Min.)[V] 650
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
    • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
    • Low Switching Loss
    • Short Circuit Withstand Time 5µs
    • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
    • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
 
로옴은 언제든지 사양을 변경할 수 있습니다.
 
기술 정보