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650V 15A Field Stop Trench IGBT - RGT30NS65D

로옴의 IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터) 제품은 폭넓은 고전압 · 대전류 어플리케이션의 고효율화와 에너지 절약화에 기여합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
RGT30NS65DGTL 공급중 LPDS 1000 1000 Taping Yes
 
사양 :
VCES [V] 650
IC(100°C)[A] 15
VCE(sat) (Typ.) [V] 1.65
tsc(Min.) [us] 5
Built-in Diode FRD
Pd [W] 133
VGE(th) (Min.)[V] 5.0
BVCES (Min.)[V] 650
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 175
특징 :
  • 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
    2) Low Switching Loss
    3) Short Circuit Withstand Time 5us
    4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
    5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Operation Notes

For Surface Mount Type

Operation Notes

For Lead Type

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type