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10V 구동 타입 Nch MOSFET - R6020ENJ

전계 효과 트랜지스터 MOSFET입니다. 미세 프로세스를 채용한 「초저 ON 저항 디바이스」를 통해 폭넓은 분야에서 응용 가능한 파워 MOSFET를 제공합니다. 용도에 따라 소형 · 하이파워 · 복합화가 가능한 풍부한 라인업을 구비하여 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
R6020ENJTL 공급중 LPTS(D2PAK) 1000 1000 Taping Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-263(D2PAK)
JEITA Package SC-83
Package Size[mm] 10.1x13.1(t=4.5)
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 20.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.17
Total gate charge Qg[nC] 60.0
Power Dissipation (PD)[W] 40.0
Drive Voltage[V] 10.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ・ Low on-resistance.
    ・ Fast switching speed.
    ・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
    ・ Drive circuits can be simple.
    ・ Parallel use is easy.
    ・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
 
 
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors