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10V Drive Nch MOSFET - R6008FNX

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 신 프로세스를 채용한 "스위칭 전원용 고효율 고내압 디바이스" 로 저소비전력을 실현한 파워 MOSFET 를 제공하며, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
R6008FNX 공급중 TO-220FM 500 500 Bulk Yes
 
사양 :
Grade Standard
Package Code TO-220FM
Package Size[mm] 15.1x10.1 (t=4.6)
Applications Motor, Inverter
Number of terminal 3
Polarity Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V] 600
Drain Current ID[A] 8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) 0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.73
Total gate charge Qg[nC] 20.0
Power Dissipation (PD)[W] 50.0
Drive Voltage[V] 10.0
Trr (Typ.)[ns] 67
Mounting Style Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ4V 구동 타입 Nch 소신호 MOSFET
 
 
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기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Taping Specifications

For Transistors

Storage Conditions

For Transistors

Part Explanation

For Transistors