2.5V Drive Pch+SBD MOSFET - ES6U42

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
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ES6U42T2R 공급중 WEMT6 8000 8000 Taping Yes
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-563T
JEITA Package SC-120
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.6)
Number of terminal 6
Polarity Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] -20
Drain Current ID[A] -1.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.57
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) 0.31
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.28
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.57
Total gate charge Qg[nC] 2.1
Power Dissipation (PD)[W] 0.7
Drive Voltage[V] -2.5
Reverse voltage VR (Diode) [V] 20.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 2.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ1.6 ×1.6mm 의 실장 면적으로 하이파워, 스페이스 절약을 실현한 MOSFET
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