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신규 설계 사용 비추천
4V Drive Nch+SBD MOSFET - ES6U3 |
추천 제품
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서포트 링크 :
사양 :
형명 | ES6U3T2CR |
상태 | 신규 설계 사용 비추천 |
패키지 | WEMT6 |
포장 수량 | 8000 |
최소 포장 단위 | 8000 |
포장 사양 | Taping |
구성 물질 일람표 | inquiry |
RoHS | Yes |
Grade | Standard |
Package Code | SOT-563T |
JEITA Package | SC-120 |
Package Size[mm] | 1.6x1.6(t=0.6) |
Number of terminal | 6 |
Polarity | Nch+Schottky |
Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 |
Drain Current ID[A] | 1.4 |
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.) | 0.27 |
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.25 |
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.17 |
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.27 |
Total gate charge Qg[nC] | 1.4 |
Power Dissipation (PD)[W] | 0.7 |
Drive Voltage[V] | 4.0 |
Reverse voltage VR (Diode) [V] | 20.0 |
Forward Current IF (Diode) [A] | 0.5 |
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] | 2.0 |
Mounting Style | Surface mount |
Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 |
Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
단자 배치도 :
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기술 정보
NE Handbook Series
For Power Device
Condition Of Soldering
For Surface Mount Type
Operation Notes
About TR Die Temperature
Operation Notes
Before using ROHM Transistor
Part Explanation
For Transistors