4V Drive Nch+SBD MOSFET - ES6U3

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.

형명	상태	패키지	포장 수량	최소 포장 단위	포장 사양	RoHS
ES6U3T2CR	공급중	WEMT6	8000	8000	Taping	Yes

사양 :

Grade	Standard
Package Code	SOT-563T
JEITA Package	SC-120
Package Size[mm]	1.6x1.6(t=0.6)
Number of terminal	6
Polarity	Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]	30
Drain Current ID[A]	1.4
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)	0.27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.25
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)	0.17
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.27
Total gate charge Qg[nC]	1.4
Power Dissipation (PD)[W]	0.7
Drive Voltage[V]	4.0
Reverse voltage VR (Diode) [V]	20.0
Forward Current IF (Diode) [A]	0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]	2.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

특징 :

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