1.5V Drive Nch+SBD MOSFET - ES6U2

전계 효과 트랜지스터 MOSFET. 미세 프로세스를 채용한 저 ON 저항 MOSFET 와 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD) 를 복합화하여, 풍부한 라인업으로 다양한 시장 요구에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
구성 물질 일람표
ES6U2T2R 공급중 WEMT6 8000 8000 Taping inquiry Yes
사양 :
Grade Standard
Package Code SOT-563T
JEITA Package SC-120
Package Size[mm] 1.6x1.6(t=0.6)
Number of terminal 6
Polarity Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V] 20
Drain Current ID[A] 1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.) 0.3
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) 0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.3
Total gate charge Qg[nC] 1.8
Power Dissipation (PD)[W] 0.7
Drive Voltage[V] 1.5
Reverse voltage VR (Diode) [V] 20.0
Forward Current IF (Diode) [A] 0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A] 2.0
Mounting Style Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C] -55
Storage Temperature (Max.)[°C] 150
특징 :
  • ᆞ1.6 ×1.6mm 의 실장 면적으로 하이파워, 스페이스 절약을 실현한 MOSFET
기술 정보
NE Handbook Series

For Power Device

Taping Specifications

For Transistors

Condition Of Soldering

For Surface Mount Type

Storage Conditions

For Transistors

Operation Notes

About TR Die Temperature

Operation Notes

Before using ROHM Transistor

Part Explanation

For Transistors