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SiC 파워 모듈 - BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001은 로옴의 SiC-DMOSFET와 SiC-SBD로 구성된 2in1 SiC 파워 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM300D12P2E001 공급중 E 4 4 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 300.0
Total Power Dissipation[W] 1875
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

DC-DC Half-Bridge CCCV Charger Po=50kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

DC-DC Half-Bridge CCCV Charger Po=50kW (for Thermal evaluation)

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog