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SiC 파워 모듈 - BSM180D12P3C007

로옴의 SiC-UMOSFET를 사용한 Half bridge 구성의 SiC MOSFET 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM180D12P3C007 공급중 C 12 12 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 180.0
Total Power Dissipation[W] 880
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog