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SiC 파워 모듈 - BSM180D12P3C007

로옴의 SiC-UMOSFET를 사용한 Half bridge 구성의 SiC MOSFET 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM180D12P3C007 공급중 C 12 12 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 180.0
Total Power Dissipation[W] 880
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog