SiC 파워 모듈 - BSM180D12P2C101

로옴의 SiC-DMOSFET를 사용한 Half bridge 구성의 SiC MOSFET 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
BSM180D12P2C101 공급중 C 12 12 Tray Yes
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 180.0
Total Power Dissipation[W] 1130
Junction Temperature(Max.)[°C] 150
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
  • ・SiC MOSFET-only power module
    ・High-speed switching and low switching loss
    ・Ensured reliability of body diode conduction
    ・Low body diode Qrr and trr
단자 배치도 :
Pin Configration
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

DC-AC Half-Bridge Ih Inverter Po=20kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog