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Silicon carbide Power Module - BSM180C12P2E202 (새로운 제품)

BSM180C12P2E202 is a SiC (silicon carbide) power module with low surge and low switching loss, suitable for converter, photovoltaics, wind power generation, ubdyctuib heating equipment.

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형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM180C12P2E202 공급중 E 4 4 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 204.0
Total Power Dissipation[W] 1360
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Chopper
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
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기술 정보
Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog