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SiC 파워 모듈 - BSM120D12P2C005

로옴의 SiC 디바이스를 사용한 Half bridge 구성의 Full SiC 파워 모듈입니다.

SiC FundamentalsSiC Power Device Application Note

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM120D12P2C005 공급중 C 12 12 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 120.0
Total Power Dissipation[W] 780
Junction Temperature(Max.)[°C] 150
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
  • ・Full SiC power module with SiC MOSFET and SiC SBD
    ・High-speed switching and low switching loss
    ・Ensured reliability of body diode conduction
 
 
단자 배치도 :
Pin Configration
 
 
New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

DC-AC Full-Bridge PS Inverter Po=15kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog