SiC Power Module - BSM080D12P2C008 (New)

BSM080D12P2C008 is a half bridge module consisting of SiC-DMOS and SiC SBD.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
구성 물질 일람표
BSM080D12P2C008 공급중 C 12 12 Tray inquiry Yes
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 80.0
Total Power Dissipation[W] 600
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
최근 클릭
관련 신제품 / 갱신 제품SiC 파워 디바이스
New Products:
로옴은 언제든지 사양을 변경할 수 있습니다.
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog