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Silicon carbide Power Module - BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008 is a half bridge module consisting of SiC-DMOS and SiC SBD.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
형명
상태
패키지
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
RoHS
BSM080D12P2C008 공급중 C 12 12 Tray Yes
 
사양 :
Drain-source Voltage[V] 1200
Drain Current[A] 80.0
Total Power Dissipation[W] 600
Junction Temperature(Max.)[°C] 175
Storage Temperature (Min.)[°C] -40
Storage Temperature (Max.)[°C] 125
Package Half bridge
특징 :
    • Low surge, low switching loss.
    • High-speed switching possible.
    • Reduced temperature dependance.
 
 
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New Products:
 
 
기술 정보
SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

Half-Bridge PS Inverter Po=10kW

SPICE Simulation Evaluation Circuit Data

Half-Bridge PS Inverter Po=10kW (for Thermal evaluation)

SPICE Simulation Evaluation Circuit

Circuit data for device evaluation

Application Note

For SiC Power Devices and Modules

NE Handbook Series

For Power Device

Product Catalog File

SiC Power Device Catelog