DDR-SDRAM 터미네이션용 리니어 전원 - BD3533HFN

BD3533HFN은 JEDEC 준거 DDR-SDRAM에 대응하는 터미네이션 레귤레이터입니다. N-MOSFET를 내장하여 싱크 / 소스로 최대 1A까지 공급 가능한 리니어 전원입니다. 내부의 OP Amp를 고속 설계함으로써 우수한 과도 응답 특성을 실현합니다. 내부의 N-MOSFET를 구동하기 위해 바이어스용 전원으로 3.3V 또는 5.0V가 필요합니다. JEDEC로 규정된 전압 정밀도를 유지하기 위해 독립된 기준 입력 Pin (VDDQ)와 독립된 피드백 Pin (VTTS)를 구비하여, 우수한 출력전압 정밀도 및 로드 레귤레이션을 실현합니다. 또한, DDR-SDRAM, 메모리 컨트롤러용 기준전원 출력 Pin (VREF)도 구비하였습니다. EN Pin=L의 경우, VTT 출력은 Hi-Z이지만, VREF 출력은 유지되어 DDR-SDRAM의 Self Refresh state에 대응합니다.

* 본 제품은 STANDARD GRADE 제품입니다. 이 제품은 차재 기기의 사용을 권장하지 않습니다.
포장 수량
최소 포장 단위
포장 사양
BD3533HFN-TR 공급중 HSON8 3000 3000 Taping Yes
사양 :
Grade Standard
ch 1
Vin(Min.)[V] 2.7
Vin(Max.)[V] 5.5
Vout (Typ.) [V] 0.75 to 1.25
Iout(Max.)[A] 1.0
Thermal Shut-down Yes
Under Voltage Lock Out Yes
Operating Temperature (Min.)[°C] -20
Operating Temperature (Max.)[°C] 100
특징 :
  • · Incorporates a Push-Pull Power Supply for Termination (VTT)
    · Incorporates a Reference Voltage Circuit (VREF)
    · Incorporates an Enabler
    · Incorporates an Under Voltage Lockout (UVLO)
    · Incorporates a Thermal Shutdown Protector (TSD)
    · Compatible with Dual Channel (DDR-2)
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