인버터의 고효율화 · 실장 면적 저감에 기여
고속 trr / 고내압 MOSFET : PrestoMOS™



개요 | 특징 | 세트 / 사용회로 예 | 라인업

고속 스위칭 · 고내압 MOSFET 시리즈 / 고속 trr 타입 PrestoMOS™

개요

전원 일체형 인버터 등에 최적인 고속 trr 타입 「PrestoMOSTM」! 고속 스위칭 및 내부 Di의 고속 trr화로 고효율 · 저손실화뿐만 아니라 전원 기판의 소형화에도 기여합니다. 또한, 면실장 패키지인 「CPT3 (D-PAK)」「LPT (D2-PAK)」를 새롭게 라입업할 예정입니다.

< PrestoMOSTM 란>
Presto: "매우 빠르게" 를 뜻하는 이태리어를 사용한 음악 용어

패키지

특징

・한층 더 고효율화
 저 ON 저항, Low Qg 와 더불어 내부
 다이오드의 고속 trr 화 실현

・부품수 삭감
  내부 다이오드의 고속 trr 에 의한 외장 FRD
  (패스트 리커버리 다이오드) 삭감 가능

trr (역회복 시간) 파형 비교 R6008FNX VS R6008ANX

전류 손실 대책 (FRD 외장) → 고속 trr 타입도 PrestoMOS™
 

세트 / 사용회로 예

세트 / 사용회로 예
 

・전원 일체형 인버터 / 조명 / 모터

・태양전지, 파워 컨디셔너

・고주파로 사용하는 브릿지 회로

・di / dt 파괴 내량이 염려되는 회로

・고주파화로 인하여 트랜스를 포함한
 기판의 소형화를 검토중인 세트 etc.

Application

라인업

Part No. VDSS
(V)
ID
(A)
RDS(on)
Typ.(Ω)
VGS=10V
trr
Typ.
(ns)
Package
R6008FNJ 600 8 0.72 67 LPT
R5009FNX 500 9 0.65 78 TO-220FM
R5011FNX 11 0.4 85
R5016FNX 16 0.22 100
R6008FNX 600 8 0.73 67
R6012FNX 12 0.39 75
R6012FNJ 12 0.39 75 LPTS
R6015FNX 15 0.27 90 TO-220FM
R6020FNX 20 0.2 105
R6025FNZ 25 0.14 120 TO-3PF
R6025FNZ1 25 0.14 120 TO-247
R6046FNZ 46 0.075 145 TO-3PF
R6046FNZ1 46 0.075 143 TO-247

 

고속 trr / 고내압 MOSFET : PrestoMOSTM 이외에도 독자적인 기술을 활용하여 고객의 요구에 대응할 수 있는 트랜지스터 제품 개발을 추진함과 동시에, 제품 시리즈 확충에도 임하고 있습니다.
 

본 제품에 대한 문의