1700V 고내압 SiC-MOSFET
SCT2H12NZ

산업기기 보조 전원에 최적!

제품 개요

TO-263AB, TO-220ACP 패키지 이미지

Si의 한계를 뛰어넘은 디바이스로서 주목받고 있는 SiC 디바이스. 고성능화를 위한 재료로서 큰 기대를 모으고 있습니다.
고전압 · 대전력의 산업기기 아이템에 탑재되는 보조 전원 유닛은 기존에는 1000V 내압에 대응하는 Si-MOSFET가 사용됩니다. 이를 고효율 SiC-MOSFET로 대체하여 사용할 경우, 발열 저감을 통한 히트싱크 등 부품 삭감을 기대할 수 있습니다.
로옴은 이번에 새롭게 1700V 클래스 제품을 개발하였으며, SiC-MOSFET를 용이하게 평가할 수 있도록 평가용 기판도 구비하고 있습니다.

평가 기판

로옴은 종합 반도체 메이커로서 SiC 디바이스와 조합하여 사용 가능한 IC를 다양하게 구비하고 있습니다. 이번 신제품 「SCT2H12NZ」와 SiC-MOSFET 구동에 최적인 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」, 이 두 제품을 실장한 평가 보드 「BD7682FJ-LB-EVK-402」의 인터넷 판매를 개시하였습니다.

샘플, 보드를 1개부터 구입 가능

 

평가용 전원 기판 (BD7682FJ-LB-EVK-402)
 
SiC 서포트 페이지SiC 평가 보드 정보 등, 유익한 정보 게재

특징 1 : 산업기기의 보조 전원에 최적

산업기기의 보조 전원에 사용되는 1500V 내압의 Si-MOSFET와 비교 시, 1700V 내압과 동시에 1/8의 ON 저항 1.15Ω을 실현하였습니다.
또한, 패키지로 TO-3PFM을 채용함으로써 산업기기에 요구되는 연면 거리 (절연물의 표면을 따라 계측한 거리)를 확보하였습니다.

ON 저항 비교 신제품 어플리케이션 이미지

특징 2 : 전용 IC와 함께 사용하여 극적인 고효율화 달성

AC/DC 컨버터에서의 Si vs SiC 효율 비교

SiC-MOSFET의 성능을 최대화시키는 로옴의 SiC-MOSFET 구동용 AC/DC 컨버터 제어 IC 「BD7682FJ-LB」와 함께 사용할 경우, 최대 6%의 고효율화를 실현할 수 있습니다 (로옴 조사).
동시에 발열도 저감할 수 있어, 방열 부품의 소형화가 가능합니다.

라인업

품명 패키지 극성 VDSS ID PD
(Tc=25℃)
RDS(ON)
VGS=18V
Qg
VGS=18V
NEW SCT2H12NZ TO-3PFM Nch 1700V 3.7A 35W 1.15Ω
(Typ.)
14nC
(Typ.)
☆SCT2H12NY TO-268-2L
(개발중)
4A 44W
☆SCT2750NY 5.9A 57W 0.75Ω
(Typ.)
17nC
(Typ.)

☆ : 개발중