제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드
SCS3xxA 시리즈 제품 정보 공개

Low VF & 높은 서지 전류 내량 SiC-SBD

제품 개요

TO-263AB, TO-220ACP 패키지 이미지

전원기기의 PFC 회로에 사용하는 Si 패스트 리커버리 다이오드 (FRD)를 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (SBD)로 대체하여 사용함으로써, 연속 모드 동작 시 고효율화를 실현할 수 있습니다.
로옴은 예전부터 업계 최소 수준의 Low VF 특성을 지닌 제2세대 SiC-SBD를 공급해왔습니다. 이번에 높은 서지 전류 내량을 동시에 실현한 SCS3xxA 시리즈 (제3세대 SiC-SBD)를 라입업하여, 한층 더 전원 PFC 용도에 최적인 제품을 제공합니다.

SiC 서포트 페이지

특징 1 : Low VF & 높은 서지 내량으로 전원 PFC 용도에 최적

높은 서지 전류 내량을 실현하기 위해, JBS (Junction Barrier schottky) 구조를 채용하였습니다.
JBS 구조의 특징인 서지 전류 내량 향상 및 리크 특성 개선과 더불어, 제2세대 SiC-SBD에서 실현한 Low VF 특성을 한층 더 개선하여, 보다 고성능의 제품으로 전개하고 있습니다.

높은 서지 내량으로 전원 PFC용에 최적!
  ROHM
제3세대
SiC-SBD
ROHM
제2세대
SiC-SBD
절대 최대 정격
서지 전류 내량
10msec, sin wave
TO-220AC package
82A 40A
전기적 특성
VF(V)
Typ.
Tj=25°C 1.35 1.35
Tj=150°C 1.44 1.55
IR(µA)
Typ.
Tj=25°C 0.03 2
Tj=150°C 2 30

특징 2 : 저손실 SiC-SBD로 고효율 실현

스위칭 전류 파형 특성

SiC-SBD는 Si-FRD에 비해 역회복 시간이 빨라 스위칭 손실이 작아지므로, 기기의 고효율화에 크기 기여할 수 있습니다.

어플리케이션

PC, 서버, 에어컨 등 하이엔드 전원 기기의 PFC 회로

라인업

패키지 내압 순방향 전류 (IF)
2A 4A 6A 8A 10A
TO-220ACP

TO-220ACP

650V ☆SCS302AP ☆SCS304AP SCS306AP SCS308AP SCS310AP
TO-263AB D2pak (LTPL)

TO-263AB
D2pak (LTPL)

☆SCS302AJ ☆SCS304AJ ☆SCS306AJ ☆SCS308AJ ☆SCS310AJ

☆ : 개발중