1200V / 300A Full SiC 파워 모듈 「BSM300D12P2E001」 제품 정보 공개

대전력 어플리케이션 대응. 1200V / 300A Full SiC 파워 모듈 추가 라인업 확충

제품 개요

BSM300D12P2E001

Full SiC 파워 모듈 120A, 180A 제품 라인업에 300A 타입 「BSM300D12P2E001」을 추가하였습니다.
이에 따라 산업기기용 대용량 전원 등의 대전력 어플리케이션에 대한 검토가 가능합니다. 또한, 일반적인 Si-IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실을 대폭적으로 저감하여, 고주파 구동이 가능하므로 주변 부품 및 냉각 시스템의 소형화에도 기여합니다.

라인업

Full SiC 파워 모듈에 300A 타입 추가!
품명 절대 최대 정격(Ta=25°C) RDS
(ON)
(mΩ)
패키지 Ther
mistor
내부 회로도
VDS
(V)
ID
(A)
(Tc=
60°C)
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
Visol
(V)
(AC
1min.)
BSM080D12P2C008
(2G. DMOS)
1200 80 -40 to
+175
-40 to
+125
2500 34 C
type
- Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM120D12P2C005
(2G. DMOS)
120 -40 to
+150
20 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM180D12P3C007
(3G.UMOS -Trench Gate)
180 -40 to
+175
10 Internal Circuit Diagram(BSM120D12P2C005)
BSM300D12P2E001
(2G. DMOS)
300 -40 to
+175
7.3 E
type
Internal Circuit Diagram(BSM300D12P2E001)
외형 치수
C type E type
C type E type

■ 향후의 전개

한층 더 대전류화! 한층 더 고내압화!

고내압에 대한 모듈 및 Trench 구조를 채용한 SiC 디바이스를 사용하여, 한층 더 대전류 정격을 실현하는 제품을 개발하고, 라인업을 강화해 나갈 것입니다.

특징 1 : 스위칭 손실의 저감으로 고주파화 실현

한층 더 대전류화! 한층 더 고내압화!

동등한 전류 정격의 IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감하였습니다. IGBT 모듈 대신 사용함으로써 대폭적인 스위칭 손실 저감이 가능하여, 냉각 기구의 소형화가 가능합니다. 또한, 한층 더 고주파 스위칭 동작을 실행함으로써, 코일 및 캐패시터와 같은 주변 부품의 소형화도 실현할 수 있습니다. SiC 모듈을 사용함으로써 고효율화와 함께 기기의 소형화에도 기여합니다.

특징 2 : 대전류화를 위한 안심 설계

SiC 모듈로 스위칭 손실 저감! 고주파화 가능!
  • 독자적인 디자인 기술로 인덕턴스를 약 50% 저감하여, 300A 정격의 제품화를 실현
  • Thermistor 탑재로 과승 온도 보호