고효율 MOS 인텔리전트 파워 모듈을 새롭게 라인업
저전력 가전 및 산업기기의 저소비전력화에 기여

2015년 4월 10일

<개요>

BM65364S-VA/-VC의 패키지 HSDIP25 로옴 주식회사 (본사 : 교토)는 저소비전력화가 요구되는 가전제품 및 산업기기 등의 소용량 모터를 인버터 구동시키는 고효율 MOS-IPM (Intelligent Power Module)「BM65364S-VA/-VC (정격전류 15A, 내압 600V)」를 새롭게 라인업하였습니다.
이번에 개발한 신제품은 자사의 저 ON 저항 MOSFET「PrestoMOS™※」를 탑재하고, 독자적인 LSI 제어 기술을 통해 기존의 IGBT-IPM에 비해 저전류 영역에서의 손실을 약 43% 저감하였습니다. 업계 최고 수준의 저소비전력화를 실현함으로써 어플리케이션의 저전력화에 기여함과 동시에 IPM 제품의 제안을 통해 설계 부하의 경감에도 기여합니다.
본 제품은 이미 샘플 출하를 개시하였으며, 8월부터 월 3만개의 생산 체제로 양산을 개시할 예정입니다. 생산 거점은 전공정 로옴 하마마츠 주식회사 (시즈오카), 로옴 와코 주식회사 (오카야마), 후공정 ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd. (태국)입니다.

※PrestoMOS는 로옴의 상표입니다.

<배경>

저전력화가 가속화되고 있는 오늘날, 에너지 절약법의 개정에 의해, 가전제품은 사용 실태에 한층 더 가까운 에너지 소비 효율을 나타내는 APF (Annual Performance Factor)를 표기하는 경향이 있으며, 전력 부하가 큰 기기의 기동 시 및 정격 조건뿐만 아니라, 부하가 작은 정상 동작 시의 저전력화에 대한 요구가 높아지고 있습니다.
한편, 이러한 저전력 가전의 설계 부하 경감을 목적으로, 시스템 구축에 필요한 파워 디바이스 및 제어 IC 등을 1chip화한 IPM이 표준적으로 사용되고 있습니다.

신제품의 상세 내용

IGBT-IPM와 MOS-IPM 전력 손실 비교

로옴은 기존의 MOSFET로는 어려운 대전류화를 가능하게 하는 자사의 PrestoMOS 채용을 통해, 도통 손실을 대폭 저감하여, IPM의 제품화를 실현하였습니다. 또한, 자사의 게이트 드라이버 회로 기술을 조합함으로써 IGBT-IPM에 비해 저전류 영역에서의 손실을 약 43% 삭감하였습니다. 업계 최고 수준의 저소비전력으로 어플리케이션 전체의 저전력화에 기여합니다.
또한, 독자적인 회로 및 패키지 기술을 통해 인버터 구축에 필요한 각종 디바이스의 복합 신뢰성을 확립하여 IPM화를 실현함으로써 시스템의 설계 부하 경감에도 기여합니다.
탑재 chip을 모두 로옴의 제품으로 사용하여, 고품질 제품 제공은 물론, 안정 공급이 가능하므로 안심하고 사용할 수 있습니다.

<특징>

에어컨 정상 동작 시, 소비전력 대폭 삭감

1. 대전류 대응이 가능한 PrestoMOS 채용으로 저전력 실현
현재, 가정내의 소비전력 비율이 높은 에어컨의 인버터를 비롯하여 대전류 대응이 가능한 기기에는 IGBT-IPM이 사용되고 있으며, 기기의 고효율화를 위한 움직임이 활발하게 이루어지고 있습니다.
한편, 일반적으로 MOSFET는 고속 스위칭 및 저전류 영역에서의 도통 손실이 낮다는 메리트가 있어, 기기의 정상 동작 시의 저소비전력화에 효과가 있습니다. 대전류 대응이 가능한 MOS-IPM 개발로 기기의 정상 동작 시의 저전력화를 실현할 수 있습니다.

2. 로옴의 독자적인 회로 기술을 탑재한 게이트 드라이버 LSI로 고효율화 실현
PrestoMOS 채용과 자사의 게이트 드라이버 회로 기술에, 로옴의 독자적인 게이트 드라이브 회로를 도입함으로써 IPM 제품의 고효율화를 한층 더 실현하였습니다. 예를 들어 고전압에서의 고속 스위칭 동작에 발생하기 쉬운 MOSFET의 오동작을 방지하는 회로를 도입함으로써 고속 스위칭 동작이 가능하여, 스위칭 손실 저감을 도모할 수 있습니다. 또한, 스위칭 시에 발생하는 노이즈를 고려하여, 트레이드 오프 관계인 스위칭 손실과 발생 노이즈의 최적화를 위해 PrestoMOS의 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 게이트 드라이브를 실현하였습니다.

게이트 드라이버와 MOSFET를 1chip화

3. IPM화로 고효율 시스템의 설계 부하를 경감
인버터 시스템을 구축하기 위해 필요한 게이트 드라이버 및 인버터부를 구성하는 MOSFET를 로옴의 독자적인 고방열 패키지에 1chip화하였습니다.
파워 디바이스 구동의 최적화와 더불어, 고객이 안심하고 사용할 수 있도록 중요한 각종 보호 기능을 다양하게 탑재한 제품이므로, 고객의 설계 부하를 저감할 수 있습니다.

<용어 설명>

  • IPM (Intelligent Power Module)
    파워 디바이스와 함께 이들을 제어하는 기능을 지닌 부품 (IC 등)을 모듈화한 제품.
  • PrestoMOS
    저 ON 저항, Low Qg와 더불어 내부 다이오드의 고속 trr을 실현한 로옴의 MOSFET 시리즈의 일종.
  • IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistors)
    MOSFET와 같이 게이트로 전압을 인가함으로써 제어하는 디바이스이며, 바이폴라 트랜지스터의 고내압 · 저 ON 저항과 같은 특징을 살린 디바이스.
  • APF (Annual Performance Factor)
    1년동안 가정용 에어컨 사용 시의 에너지 소비 효율. 수치가 클수록 저전력 특성이 높음.

관련 정보

본 제품에 대한 문의