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SiC 파워 디바이스

Si 반도체 대비 소형화 · 저소비전력화 · 고효율화가 가능한 파워 소자를 실현할 수 있는 SiC입니다. 스위칭 손실의 저감 및 고온 환경에서의 동작 특성이 우수하여, 차세대 저손실 소자로서 기대를 받고 있습니다.
Application Note for SiC Power Devices is hereDatasheet

FAQ 
  • SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (68)

    Total Capacitive Charge (Qc)가 작으므로 스위칭 손실을 저감할 수 있어, 고속 스위칭이 가능합니다. 또한, Si 패스트 리커버리 다이오드의 trr은 온도 상승에 따라 증대하는 반면, SiC는 거의 일정한 특성을 유지할 수 있습니다.

     
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  • SiC MOSFET (20)

    원리적으로 스위칭 동작 시의 tail 전류가 없으므로 고속으로 동작하여 스위칭 손실의 저감이 가능합니다. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있으므로 저용량 · 낮은 Gate Charge를 실현합니다. Si 디바이스가 온도 상승에 따라 ON 저항이 2배 이상 상승하는 것에 비해 SiC는 ON 저항 증가가 적으므로 기기의 소형 · 저전력화에 기여합니다.

     
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  • SiC 파워 모듈 (11)

    내장하는 파워 반도체 소자를 모두 SiC로 구성하여, Si (실리콘) IGBT 모듈에 비해 스위칭 손실을 대폭 저감할 수 있습니다. SiC-SBD, SiC-MOSFET를 탑재하여, 기존의 Si-IGBT 대비 100KHz 이상의 고주파 동작이 가능합니다.

     
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  • SiC 쇼트키 배리어 다이오드 Bare Die (10)

    SBD는 스위칭 손실을 저감할 수 있으므로 고속 스위칭이 가능합니다. 고속 스위칭 전원의 PFC 회로를 중심으로 채용되고 있습니다.
    Bare Die의 판매에 대해서는 당사 영업으로 사양 등을 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 및 온라인 대리점에서는 판매하고 있지 않습니다.

  • SiC MOSFET Bare Die (18)

    스위칭 동작 시의 tail 전류가 원리적으로 없으므로, 고속 동작에 따른 스위칭 손실의 저감이 가능합니다. 작은 칩 사이즈로 저 ON 저항을 달성할 수 있으므로 저용량 · 낮은 게이트 차지를 실현합니다.
    Bare Die의 판매에 대해서는 당사 영업으로 사양 등을 문의하여 주십시오. 현재, 온라인 및 온라인 대리점에서는 판매하고 있지 않습니다.